1.3 半导体器件产品手册查阅

1.3.1 半导体器件型号命名方法

我国半导体器件的型号是按照它们的极性、材料、类型来命名的。根据国家标准GB249—74，一般半导体器件的型号的命名由五部分组成。

说明：场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN管、激光器件的型号命名只有三、四、五部分。

我国半导体器件型号各组成部分的符号及含义，如表1.3所示。

表1.3 我国半导体器件型号组成部分的符号及其含义

1.3.2 常用半导体二极管、三极管主要参数查阅

常用半导体二极管、三极管主要参数可从半导体元器件产品手册上查阅，表1.4列出了整流二极管（部分型号）的主要参数。表1.5列出了低频大功率管（部分型号）的主要参数。

表1.4 N型硅整流二极管（部分型号）参数型号

注：整流电流在0.5A以上者需要安装相应的散热片。

例如，已知流过二极管的正向平均电流为20mA，反向电流小于20μA，其承受的最大反向电压为40V，试选择其合适的型号。

查表1.4，选用2CZ50B，其最大整流电流为30mA，反向电流小于5μA，最高反向电压为50V。

例如，已知三极管的最大管耗为8W，集电极最大电流为2A，集射极最高反向电压为15V，集-基极反向饱和电流小于0.4mA，共发射极电流放大系数为50，试选择其合适的型号。

查表1.5，选用3AD50A，其集电极最大耗散功率10W，集电极最大允许电流3A，反向击穿电压大于18V，集-基极反向饱和电流小于0.3mA，共发射极电流放大系数在20～140之间。

表1.5 低频大功率管（部分型号）

在实际使用中，我们可以根据需要来查阅半导体器件产品手册中的上述有关参数，选择满足需要的半导体器件的型号。